項目名稱：無錫吳越半導體有限公司氮化鎵單晶襯底試驗基地項目 項目規(guī)模：.元 項目建設(shè)地址：無錫吳越半導體有限公司氮化鎵單晶襯底試驗基地項目 建設(shè)內(nèi)容：項目總投資萬元，其中基礎(chǔ)建設(shè)萬元，采購進口設(shè)備萬元、國內(nèi)設(shè)備萬元，其它固定資產(chǎn)萬元，鋪底流動資金萬元，資金由企業(yè)自籌解決。租用研發(fā)樓平方米，引進日本、美國先進技術(shù)團隊，導入日本最先端氮化鎵生長設(shè)備并結(jié)合國產(chǎn)先進加工設(shè)備，建成全國首套氮化鎵單晶襯底的長晶、切磨拋加工研發(fā)線，達到全球最高水準。 服務金額：.元 中介服務事項：編制建設(shè)項目環(huán)境影響報告書、報告表 中介選取方式：直接選取 服務時限要求：天 報名截止時間：-- 項目單位：無錫吳越半導體有限公司 統(tǒng)一社會信用代碼： 法定代表人：張海濤 法人類型：企業(yè)法人 報名地址