（一）建設項目名稱及概況 項目名稱：高速低功耗集成電路用高端硅基材料的研發(fā)與生產項目 建設地點：宜興經濟技術開發(fā)區(qū)騰飛路號中環(huán)領先半導體材料有限公司現(xiàn)有廠區(qū)內 總投資：萬元 建設內容及規(guī)模：年產外延硅片、硅片合計.萬片。 現(xiàn)有工程及其環(huán)境保護情況：中環(huán)領先半導體材料有限公司目前已建項目具備年產萬片英寸拋光片、年產萬片英寸拋光片的生產能力，并通過竣工環(huán)保驗收，生產裝備和配套環(huán)境保護設施均載入了中環(huán)領先半導體材料有限公司排污許可證（證書編號：）。在建集成電路用大直徑半導體硅片項目，年產英寸外延片萬片、英寸拋光片萬片、英寸外延片萬片。 （二）建設單位名稱和聯(lián)系方式 單位名稱：中環(huán)領先半導體材料有限公司 聯(lián) 系 人：王經理 聯(lián)系方式： 聯(lián)系地址：宜興經濟技術開發(fā)區(qū)騰飛路號 （三）環(huán)境影響報告書編制單位的名稱 環(huán)評單位：江蘇環(huán)保產業(yè)技術研究院股份公司 （四）公眾意見表的網絡鏈接 見附件公眾意見表附件 公眾意見表.。 （五）提交公眾意見表的方式和途徑 ①以電子郵件形式將您對該項目建設的意見及建議發(fā)送至以下郵箱：@.； ②來電至：-； ③郵寄至：江蘇省南京市建鄴區(qū)鳳凰文化廣場座樓/江蘇省無錫市宜興經濟技術開發(fā)區(qū)騰飛路號。
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